Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L2801
L2801 спецификации: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L2801
L2801 спецификации: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель : Polyfet RF
Упаковка : SO
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 46 KB
Заявка : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor