Аналогичные L2801

  • L2801
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L2801 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка : SO 

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 46 KB

Заявка : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

L2801 Скачать PDF