Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L225
L225 спецификации: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Аналогичные L225
- L225
- 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Datasheet и спецификация
Производитель : Polyfet RF
Упаковка : SO-8
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 41 KB
Заявка : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Скачать PDF