Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L125
L125 спецификации: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Аналогичные L125
- L125
- 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L125 Datasheet и спецификация
Производитель : Polyfet RF
Упаковка : SO-8
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 41 KB
Заявка : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L125 Скачать PDF