F5001 спецификации: 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F5001

F5001
- 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F5001 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor