okDatasheet.com

Аналогичные F2247

  • F2246
    • 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2247
    • 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2248
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2247 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 6 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 36 KB

Заявка : 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2247 Скачать PDF