okDatasheet.com

Аналогичные F2212

  • F2211
    • 15 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2212
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2213
    • 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2212 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявка : 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2212 Скачать PDF