F2201 спецификации: 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F2201

F2201
- 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2202
- 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2201 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявка : 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor