F2021 спецификации: 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F2021

F2021
- 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2021 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor