okDatasheet.com

Аналогичные F2001

  • F2001
    • 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2002
    • 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2004
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2001 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2001 Скачать PDF