F1535 спецификации: 35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1535

F1535
- 35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1535 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 39 KB

Заявка : 35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor