F1510 спецификации: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1510

F1510
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1516
- 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1510 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 39 KB

Заявка : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor