F1430 спецификации: 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1430

F1430
- 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1430 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor