okDatasheet.com

Аналогичные F1410

  • F1410
    • 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1415
    • 150 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1410 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 6 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 39 KB

Заявка : 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1410 Скачать PDF