F1260 спецификации: "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

Аналогичные F1260

F1260
- "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

F1260 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 6

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"