F1240 спецификации: 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1240

F1240
- 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1240 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 6

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 45 KB

Заявка : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor