okDatasheet.com

Аналогичные F1220

  • F1220
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1221
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1222
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1220 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1220 Скачать PDF