F1210 спецификации: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1210

F1210
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1214
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1210 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor