F1170 спецификации: 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1170

F1170
- 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1174
- 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1170 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 47 KB

Заявка : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor