F1116 спецификации: 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1116

F1116
- 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1116 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 46 KB

Заявка : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor