F1081 спецификации: 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1081

F1081
- 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1081 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 43 KB

Заявка : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor