F1034 спецификации: 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F1034

F1034
- 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1034 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 34 KB

Заявка : 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor