PNP10N10E спецификации: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.

Аналогичные PNP10N10E

PNP10N10E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.
PNP12N10E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 14 A.
PNP12N10E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 14 A.
PNP18N20E
- PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 18 A.

PNP10N10E Datasheet и спецификация

Производитель : Philips

Упаковка : TO220AB

Pins : 3

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 175 °C

Размер : 78 KB

Заявка : PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.