Аналогичные PHX8ND50E

  • PHX8N50E
    • 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
  • PHX8N50E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX8N50E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX8ND50E
    • PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated.

PHX8ND50E Datasheet и спецификация

Производитель : Philips 

Упаковка : SOT186A 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 82 KB

Заявка : PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated. 

PHX8ND50E Скачать PDF