Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHX1N60E
PHX1N60E спецификации: 600 V, power MOS transistor isolated version of PHP1N60E
Аналогичные PHX1N60E
- PHX10N40E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX10N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX14NQ20T
- 200 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHX15N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHX1N40
- 400 V, power MOS transistor
- PHX1N40E
- 400 V, power MOS transistor
- PHX1N60E
- 600 V, power MOS transistor isolated version of PHP1N60E
PHX1N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 26 KB
Заявка : 600 V, power MOS transistor isolated version of PHP1N60E
PHX1N60E Скачать PDF