Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHU2N50E
PHU2N50E спецификации: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Аналогичные PHU2N50E
- PHU2N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHU2N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 70 KB
Заявка : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHU2N50E Скачать PDF