Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHT4NQ10LT
PHT4NQ10LT спецификации: 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
Аналогичные PHT4NQ10LT
- PHT4NQ10LT
- 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHT4NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHT4NQ10LT Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 175 °C
Размер : 381 KB
Заявка : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHT4NQ10LT Скачать PDF