Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHD9NQ20T
PHD9NQ20T спецификации: 200 V, N-channel trenchMOS transistor
Аналогичные PHD9NQ20T
- PHD95N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHD96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHD96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHD98N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHD9NQ20T
- 200 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHD9NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHD9NQ20T Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 126 KB
Заявка : 200 V, N-channel trenchMOS transistor
PHD9NQ20T Скачать PDF