Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHD55N03LTA
PHD55N03LTA спецификации: 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
Аналогичные PHD55N03LTA
- PHD50N03LT
- 25 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD50N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD50N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD50N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHD50N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHD50N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD55N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD55N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHD55N03LTA Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 325 KB
Заявка : 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD55N03LTA Скачать PDF