Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHD2N50E
PHD2N50E спецификации: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
Аналогичные PHD2N50E
- PHD20N06T
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHD21N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD21N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD23NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHD23NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHD23NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHD24N03LT
- TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD27NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHD2N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT428
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 102 KB
Заявка : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHD2N50E Скачать PDF