Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHB9N60E
PHB9N60E спецификации: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
Аналогичные PHB9N60E
- PHB96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB98N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB9N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHB9NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHB9N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT404
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 45 KB
Заявка : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB9N60E Скачать PDF