Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHB8ND50E
PHB8ND50E спецификации: 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
Аналогичные PHB8ND50E
- PHB80N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB80N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB80N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB83N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB87N03LT
- 25 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB87N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB87N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHB87N03T
- 30 V, TrenchMOS transistor standard level FET
PHB8ND50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 80 KB
Заявка : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHB8ND50E Скачать PDF