Аналогичные PHB73N06T

  • PHB73N06T
    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB7N60E
    • 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB73N06T Datasheet и спецификация

Производитель : Philips 

Упаковка : SOT 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C

Размер : 290 KB

Заявка : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHB73N06T Скачать PDF