Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHB6N60E
PHB6N60E спецификации: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Аналогичные PHB6N60E
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB60N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB60N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- Trench transistor Logic level FET
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB65N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHB6N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 81 KB
Заявка : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB6N60E Скачать PDF