Аналогичные PHB12NQ15T

  • PHB100N03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB10N40
    • PowerMOS transistor.
  • PHB10N40E
    • 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
  • PHB112N06T
    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB11N03LT
    • N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
  • PHB11N03LT
    • 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
  • PHB11N06LT
    • 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
  • PHB11N06LT
    • TrenchMOS transistor. Logic level FET.

PHB12NQ15T Datasheet и спецификация

Производитель : Philips 

Упаковка : SOT 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C

Размер : 125 KB

Заявка : 150 V, N-channel trenchMOS transistor 

PHB12NQ15T Скачать PDF