Аналогичные IRF830

  • IRF830
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
  • IRF840
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

IRF830 Datasheet и спецификация

Производитель : Philips 

Упаковка : SOT 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 63 KB

Заявка : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated 

IRF830 Скачать PDF