Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > HEF4750V
HEF4750V спецификации: 9.5 to 10.5 V, LSI frequency synthesizer
Аналогичные HEF4750V
- HEF4000BD
- Dual 3-input NOR gate and inverter
- HEF4000BDB
- Dual 3-input NOR gate and inverter
- HEF4000BP
- Dual 3-input NOR gate and inverter
- HEF4000BPB
- Dual 3-input NOR gate and inverter
- HEF4001BD
- Quadruple 2-input NOR gate
- HEF4001BP
- Quadruple 2-input NOR gate
- HEF4001BPB
- Quadruple 2-input NOR gate
- HEF4001BPB
- Quadruple 2-input NOR gate
HEF4750V Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : DIL
Pins : 28
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 85 °C
Размер : 184 KB
Заявка : 9.5 to 10.5 V, LSI frequency synthesizer
HEF4750V Скачать PDF