BUK555-200B спецификации: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.

Аналогичные BUK555-200B

BUK542-100A
- 100 V, power MOS transistor
BUK542-100A
- 100 V, power MOS transistor
BUK542-100B
- 100 V, power MOS transistor
BUK542-60A
- 60 V, power MOS transistor
BUK542-60B
- 60 V, power MOS transistor
BUK542-60B
- 60 V, power MOS transistor
BUK543-100A
- PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 8.3 A.
BUK543-100A
- 100 V, power MOS transistor

BUK555-200B Datasheet и спецификация

Производитель : Philips

Упаковка : TO220AB

Pins : 3

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 175 °C

Размер : 76 KB

Заявка : PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.