VTP8350 спецификации: Process photodiode. Isc = 80 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.

Аналогичные VTP8350

VTP8350
- Process photodiode. Isc = 80 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTP8440
- "Process photodiode. Isc = 55 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K."
VTP8551
- Process photodiode. Isc = 70 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTP8651
- Process photodiode. Isc = 55 microA(typ), Voc = 300 mV at H = 100 fc, 2850 K.

VTP8350 Datasheet и спецификация

Производитель : PerkinElmer

Упаковка : Ceramic

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -20 °C | Макс 75 °C

Размер : 28 KB

Заявка : Process photodiode. Isc = 80 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.