VTE3324LA спецификации: GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).

Аналогичные VTE3324LA

VTE3322LA
- GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 1.3 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).
VTE3324LA
- GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).
VTE3372LA
- "GaALAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm)."
VTE3374LA
- GaALAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 5.2 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).

VTE3324LA Datasheet и спецификация

Производитель : PerkinElmer

Упаковка : T-1

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 100 °C

Размер : 24 KB

Заявка : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).