Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ON Semiconductor Datasheet > MGP11N60E
MGP11N60E спецификации: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
Аналогичные MGP11N60E
- MGP11N60E
- Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
- MGP11N60ED
- Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
- MGP14N60E
- Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
- MGP15N35CL
- Internally Clamped N-Channel IGBT
- MGP15N38CL
- Internally Clamped N-Channel IGBT
- MGP15N40CL
- Internally Clamped N-Channel IGBT
- MGP15N60U
- Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
MGP11N60E Datasheet и спецификация
Производитель : ON Semiconductor
Упаковка : TO-220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 131 KB
Заявка : Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
MGP11N60E Скачать PDF