Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE5917
NTE5917 спецификации: Silicon power rectifier diode. Anode to case. Max repetitive peak reverse voltage 200V. Average forward current 20A.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE5917
NTE5917 спецификации: Silicon power rectifier diode. Anode to case. Max repetitive peak reverse voltage 200V. Average forward current 20A.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка : DO4
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 175 °C
Размер : 26 KB
Заявка : Silicon power rectifier diode. Anode to case. Max repetitive peak reverse voltage 200V. Average forward current 20A.