Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE570
NTE570 спецификации: Silicon controlled avalanche diode. Peak reverse voltage Vrm = 130V. Allowable avalanche current Izsm = 1.0A.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE570
NTE570 спецификации: Silicon controlled avalanche diode. Peak reverse voltage Vrm = 130V. Allowable avalanche current Izsm = 1.0A.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 150 °C
Размер : 15 KB
Заявка : Silicon controlled avalanche diode. Peak reverse voltage Vrm = 130V. Allowable avalanche current Izsm = 1.0A.