Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE5655
NTE5655 спецификации: TRIAC, 800mA, sensitive gate. Repetitive peak off-state voltage Vdrm = 200V. RMS on-state current 800mA.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE5655
NTE5655 спецификации: TRIAC, 800mA, sensitive gate. Repetitive peak off-state voltage Vdrm = 200V. RMS on-state current 800mA.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка : TO92
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 100 °C
Размер : 20 KB
Заявка : TRIAC, 800mA, sensitive gate. Repetitive peak off-state voltage Vdrm = 200V. RMS on-state current 800mA.