Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE5576
NTE5576 спецификации: Silicon controlled rectiifier. Repetitive peak voltage, Vdrm,Vrrm = 600V. RMS on-state current Itrms = 175A.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE5576
NTE5576 спецификации: Silicon controlled rectiifier. Repetitive peak voltage, Vdrm,Vrrm = 600V. RMS on-state current Itrms = 175A.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка :
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 125 °C
Размер : 23 KB
Заявка : Silicon controlled rectiifier. Repetitive peak voltage, Vdrm,Vrrm = 600V. RMS on-state current Itrms = 175A.