Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE3311
NTE3311 спецификации: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE3311
NTE3311 спецификации: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 150 °C
Размер : 19 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.