Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE3123
NTE3123 спецификации: Phototransistor. Silicon NPN, interrmediate acceptance, high sensitivity, darlington.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE3123
NTE3123 спецификации: Phototransistor. Silicon NPN, interrmediate acceptance, high sensitivity, darlington.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -25 °C | Макс 85 °C
Размер : 21 KB
Заявка : Phototransistor. Silicon NPN, interrmediate acceptance, high sensitivity, darlington.