Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE312
NTE312 спецификации: N-channel silicon junction. Field effect transistor.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE312
NTE312 спецификации: N-channel silicon junction. Field effect transistor.
Производитель : NTE Electronic
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 26 KB
Заявка : N-channel silicon junction. Field effect transistor.