Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2114
NTE2114 спецификации: "Integrated circuit. MOS, static 4K RAM, 300ns."
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2114
NTE2114 спецификации: "Integrated circuit. MOS, static 4K RAM, 300ns."
Производитель : NTE Electronic
Упаковка : DIP
Pins : 18
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 31 KB
Заявка : "Integrated circuit. MOS, static 4K RAM, 300ns."