Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NEC Datasheet > UPA1717G-E1
UPA1717G-E1 спецификации: P-channel enhancement type power MOS FET
Аналогичные UPA1717G-E1
- UPA101G
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA101G-E1
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA102B
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA102B-E1
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA102G
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA102G-E1
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA102P
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
- UPA103B
- Ultra-high-frequency NPN transistor array
UPA1717G-E1 Datasheet и спецификация
Производитель : NEC
Упаковка : 8-P-SOP
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 71 KB
Заявка : P-channel enhancement type power MOS FET
UPA1717G-E1 Скачать PDF