Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NEC Datasheet > NE321000
NE321000 спецификации: A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
Аналогичные NE321000
- NE321000
- A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
- NE3210S01
- N-channel HJ-FET
- NE3210S01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE3210S01-T1B
- N-channel HJ-FET
- NE32484A
- N channel heterojunction type field effect transistor
- NE32484A-SL
- N channel heterojunction type field effect transistor
- NE32484A-SL
- N channel heterojunction type field effect transistor
- NE32484A-SL
- N channel heterojunction type field effect transistor
NE321000 Datasheet и спецификация
Производитель : NEC
Упаковка : Chip
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 52 KB
Заявка : A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
NE321000 Скачать PDF